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Infineon Technologies IPD60N10S4L12ATMA1
| Artikelnummer: | IPD60N10S4L12ATMA1 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 100V 60A TO252-3 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $1.87 |
| 10+ | $1.68 |
| 100+ | $1.3502 |
| 500+ | $1.1093 |
| 1000+ | $0.9191 |
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- Spezifikationen
- Einkaufshandbuch
- Versandinformationen
- Verpackung
-
Infineon Technologies IPD60N10S4L12ATMA1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments IPD60N10S4L12ATMA1.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 2.1V @ 46µA Vgs (Max) ±16V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse PG-TO252-3-313 Serie Automotive, AEC-Q101, HEXFET® Rds On (Max) @ Id, Vgs 12mOhm @ 60A, 10V Verlustleistung (max) 94W (Tc) Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Paket Tape & Reel (TR) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Surface Mount Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3170 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 49 nC @ 10 V Typ FET N-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 60A (Tc) Grundproduktnummer IPD60N10 IPD60N10S4L12ATMA1 Einzelheiten PDF [English] IPD60N10S4L12ATMA1 PDF - EN.pdf -
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